主要规格及技术指标

简规：4 英寸，500℃腔体，4 路液源，预留 2 路。
1）反应腔系统： 4 英寸双腔腔体 ；
2）反应模式：“快速沉积模式”（适用于平面基底）、“充分暴露模式”
（专用于 3 维结构材料、粉末基底）、“掺杂模式”（如 AZO 制备）；
3）前驱体输送系统：高配 4 路自清洗；含自伴热 Swagelok ALD 阀门
（≤200℃，精度±1℃，开启时间 ms），水及其它 3 路源，配备已验证的成熟标准工艺； 载气：高纯氮气/氩气；
4）真空系统：Inficon 压力传感、真空泵；
5）电气温控系统：PLC 控制，全系统部件及管路采用第三代可拆卸式
加热保温套（≤250℃，精度≤±1℃）；
6）配备触摸屏外设；
7）粉末夹具（可选）；

主要功能及特色

沉积参数（厚度，成份和结构）高度可控，优异的沉积均匀性和一致性。
主要功能为用于沉积单原子层超薄膜的气相沉积设备。通过精确控制媒质的流量以及使用清除媒质，保证了一次只沉积一层指定要求的单原子层超薄膜。
可以用于沉积氧化物、氮化物、贵金属等薄膜材料。

主要附件及配置

等离子体系统
1) 配备可视观察窗；

2) 功率：1000 W；
3) 频率：13.56 MHz；
4) 输出功率：额定功率 1 ~ 100% ，连续可调，正反向功率 VFD 显示

5）2 路等离子体气路（氧气、氨气、氢气和氮气可选），1 路载气；
6）管路包括 ALD 专用隔膜阀、手动截止阀、质量流量计及相关管路；
7）等离子体气源为独立进气口。