主要规格及技术指标

●Rapid Thermal Annealing
●Annealing / Diffusion
●Metal Alloy, GaAs Contact Alloy
●PSG/BPSG Reflow
●Trench Oxidation
●Gate Dielectric Formation
●Poly–Si Annealing
●Ti Silicide/ Salicide/ Nitride

主要功能及特色

●(Wafer Size)Chip size : 2”~ 6”
●(Temperature Range) RT ~ 1250℃
●(Temperature Ramp Up Rate) ≦150℃/sec (Bare Wafer)
●(Temperature Uniformity)： ±1%
●Oxygen Content in the Process Chamber≧2ppm
●(Process Pressure)：10m Torr ~ 1 atm (Option)

主要附件及配置

无