仪器分类
Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition_等离子体增强化学气相沉积系统
Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition_等离子体增强化学气相沉积系统
仪器编号
2024062600329
SN序列号
SN3202
生产厂家
鲁汶仪器
型号
工艺腔Haasrode® Shale® A
制造国家
中国
分类号
放置地点
TC-C buildingC-1001
购置日期
2023-07-04
入网日期
2024-08-21

主要规格及技术指标

真空系统:干泵:≥600m3/h; 调压阀VAT 61234 APC; 英福康工艺薄膜规
腔体:进口6061铝合金,本色阳极氧化处理
热台:双驱加热;控温精度: ± 1% 设定值;热台温度范围:120℃-400℃
射频系统:高频电源AE 13.56MHz 1.5KW ,低频电源AE 400kHz 2KW,自动匹配器
气柜:Horiba MFC , Fujikin 管路阀件;7*MFC:N2、Ar、SiH4、N2O、NH3、CF4、O2或者Ar & NF3 for RPS

Vacuum system: dry pump: ≥600m3/h; Regulator VAT 61234 APC; Infukang process film gauge
Cavity: imported 6061 aluminum alloy, natural anodizing
Hot table: dual-drive heating; Temperature control accuracy: ± 1% of set value; Hot table temperature range: 120°C-400°C
RF system: high frequency power supply AE 13.56MHz 1.5KW, low frequency power supply AE 400kHz 2KW, automatic matcher
Gas Cabinets: Horiba MFC, Fujikin Line Valves; 7*MFC: N2, Ar, SiH4, N2O, NH3, CF4, O2, or Ar & NF3 for RPS

主要功能及特色

PSG沟槽填充;波导侧壁保护;热光可选择和可调谐滤波器;磁隧道结(MTJ)侧壁保护SiN工艺稳定性;宽泛的氮化硅应力调节能力
PSG trench filling; waveguide sidewall protection; Thermo-optical selectable and tunable filters; Magnetic Tunnel Junction (MTJ) sidewall protects SiN process stability; Broad silicon nitride stress regulation capabilities

主要附件及配置

公告名称 公告内容 发布日期