主要规格及技术指标

电子光学系统
分辨率：
高真空模式：3.0 nm（加速电压30 kV时）
低真空模式：4.0 nm（加速电压30 kV时）
加速电压：0.5 kV 至 30 kV（可调步进）
电子枪类型：钨灯丝（W-filament）热发射电子枪
样品室与样品台
样品室尺寸：直径330 mm，高度270 mm（大样品室设计）
样品台移动范围：
X/Y轴：0–100 mm（马达驱动）
Z轴：1.5–30 mm（工作距离可调）
倾斜：-10° 至 +90°
旋转：360°
最大样品尺寸：直径100 mm（高度受工作距离限制）
探测器系统
二次电子探测器（SE）：标准ETD探测器，适用于高分辨率成像
背散射电子探测器（BSE）：可选配，用于成分对比成像
低真空模式（LV-SEM）：支持不导电样品无需镀膜直接观察
能谱仪（EDS）：可选配（如牛津仪器EDS系统），用于元素成分分析
真空系统
真空模式：高真空（≤10⁻³ Pa）和低真空（10–150 Pa）
抽真空时间：约3分钟（快速抽气设计）
放大倍数与成像
放大倍数范围：5× 至 300,000×（连续可调）
图像输出：支持数字图像采集（标配或选配CCD相机）
软件与控制
操作软件：JEOL专用控制平台（支持自动聚焦、图像拼接、3D成像等）
兼容性：支持第三方分析软件（如EDS数据处理）
Electron Optical System
Resolution
High vacuum mode: 3.0 nm (at 30 kV)
Low vacuum mode: 4.0 nm (at 30 kV)
Accelerating Voltage: 0.5 kV to 30 kV (adjustable in steps)
Electron Gun: Tungsten (W) filament thermionic emission gun
Specimen Chamber and Stage
Chamber Size: 330 mm diameter × 270 mm height (large chamber design)
Stage Movement:
X/Y-axis: 0–100 mm (motor-driven)
Z-axis: 1.5–30 mm (adjustable working distance)
Tilt: -10° to +90°
Rotation: 360°
Max. Specimen Size: 100 mm diameter (height limited by working distance)
Detection System
Secondary Electron Detector (SE): Standard ETD detector for high-resolution imaging
Backscattered Electron Detector (BSE): Optional for compositional contrast imaging
Low Vacuum Mode (LV-SEM): Enables direct observation of non-conductive samples without coating
Energy Dispersive X-ray Spectrometer (EDS): Optional (e.g., Oxford Instruments EDS) for elemental analysis
Vacuum System
Vacuum Modes: High vacuum (≤10⁻³ Pa) and low vacuum (10–150 Pa)
Pump-down Time: ~3 minutes (fast evacuation design)
Magnification and Imaging
Mgnification Range: 5× to 300,000× (continuously adjustable)
Image Output: Digital image capture (standard or optional CCD camera)
Software and Control
Operating Software: JEOL-specific control platform (supports auto-focus, image stitching, 3D imaging, etc.)
Compatibility: Integrates with third-party analysis software (e.g., EDS data processing)

主要功能及特色

材料科学：金属、陶瓷、复合材料的断口分析、晶粒观察。

电子工业：PCB、半导体器件缺陷检测。

地质学：矿物成分与微观结构研究。

生物学：细胞、昆虫、植物样本的表面形貌观察（低真空模式）。

纳米技术：纳米颗粒、薄膜材料的尺寸与形貌表征。
Materials Science: Fracture analysis, grain structure studies (metals, ceramics, composites).

Electronics Industry: Defect inspection in PCBs, semiconductors, and microdevices.

Geology: Mineral composition and microstructure characterization.

Biology: Surface morphology of cells, insects, and plant tissues (low vacuum mode).

Nanotechnology: Size and morphology analysis of nanoparticles, thin films.

主要附件及配置

无